سامسونج تعلن عن خارطة طريقها لتصنيع رقائق 4nm

سامسونج تعلن عن خارطة طريقها لتصنيع رقائق 4nm

حاليًا يتم صنع شرائح أو رقائق بخط إستخدام تصنيع 10nm، وسامسونج إحدى أكبر شركات تصنيع الرقائق وأشباه الموصلات، لتعلن اليوم الشركة عن خارطة طريقها للفترة المقبلة والتي تهدف إلى تقديم رقائق بدقة تصنتصنيع 4nm للهواتف الذكية.

طبعًا الهدف أصغر حجم وأكثر قوة وكفاءة في الطاقة، ومع مرور الزمن يتم وضع المزيد من الترانزستورات، وهذا يتعلق بقانون مور الذي تم وضعه من قبل شركة إنتل غوردون مور في عام 1965، وأشارت إنتل إلى أن عدد الترانزستورات لكل بوصة مربعة على الدوائر المتكاملة تضاعف كل سنتين.

ووفقًا لعرض تم تقديمه في منتدى  Samsung Foundry الخطوة التالية من سامسونج هي إنتاج رقائق 8nm بطاقة زائدة، والتي بدورها ستفتح باب المنافسة القوية، والاهم ما قبل الإنتقال إلي مرحلة تصنيع  “EUV “Extreme Ultra Violet، كما وأشارة سامسونج أن دقة تصنيع 7nm ستكون أول دقة تعمل بإستخدام عملية التصنيع EUV، التي فعليًا تم العمل بها مع شركة ASML الألمانية.

وما بعد ذلك ستقوم الشركة بتصنيع دقة 5nm ومن ثم الهدف الأسمى عملية 4nm على بنية الجيبل القادم، ومن هذه اللحظة ستقوم سامسونج بكسر قاعدة مور حيث أن هذه الطفرة ستفتح المجال أمام دقات تصنيع أخري مثل 6LPP و 5LPP أو حتي 4LPP في المستقبل، كما أشار أن دقة تصنيع 4nm ستكون هي أول خطوة من خطوات معمارية التصنيع القادمة والتي تسمي MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) والتي سوف تتخلص من القيود الفيزيائية وقيود الأداء التي تواجهها معمارية تصنيع FinFET الحالية.

المصدر

عن Ahmed Saeed

لا أبخل على أحد بما وهبني الله به، مختص في الكتابة عن ايقوناتي نظام أندرويد ونظام iOS، لي الخبرة بما تكفي لوضع حلول جذرية لمشاكل أندرويد، مبرمج في عالم التطبيقات، وأخيرًا عشقي إلتقاط الصور أينما ذهبت....

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *